半導體集成電路制造所需要的高純氣體主要分為兩大類：
1.普通氣體：也叫大宗氣體，主要有：H2 、N2 、O2 、Ar 、He等。
2.特種氣體：主要指各種摻雜用氣體、外延用氣體、離子注入用氣體、刻蝕用氣體等。
半導體制造用氣體按照使用時的危險性分類：
1.可燃、助燃、易然易暴氣體：H2 、CH4、H2S、NH3 、SiH4、PH3 、B2H6、SiH2CL3、CLF3、SiHCL3等
2.有毒氣體：AsH3、PH3 、B2H6等
3.助燃氣體：O2 、N2O、F2 、HF等
4.窒息性氣體：N2 、He 、CO2、Ar等
5.腐蝕性氣體：HCL 、PCL3 、POCL3 、HF、SiF4、CLF3等
市場隨著市場對某些標準氣體的組分含量要求越來越低，這是基于中國某些高純氣體尤其是空分氣體的純度不斷提高。空分產品中N2、O2、Ar的純度有的已經達到99.9999%，國家標準也因為生產、使用單位的水平提高而不斷提升，按照標準中規定的檢測指標，進行檢測需要各種高質量的標準氣體。此外，醫院用的N2—NO混合氣體因對NO2的控制要求越來越低，常規的標準氣體配制方法，很難滿足此類標氣的生產，其“瓶頸”是“零點”氣體市場不易購到同時在氣體配制時，因污染導致系統引入一定的如空氣等雜質。隨著我國半導體、光電技術的飛速發展，研發提純凈化水平高、耐高壓、使用方便、投資少易推廣的對N2、H2、He、Ar、O2、NO氣體配制用高壓提純技術及裝置尤為重要。
高純氣體必須滿足2 個條件:
1、主體成分含量必須大于某一定值。
2、各雜質組分含量必須小于某一定值。
電子工業用氣、儀器儀表校準用的零點氣、標準氣配制用氣、色譜載氣等均需滿足以上要求, 可列為高純氣體。
理論上, 高純氣體的純度= 主體成分含量= 1-∑ 雜質含量。事實上, 用實驗方法直接準確測定高純氣體中主體成分含量是非常困難的。
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